رهبری تحول گرا

رهبری تحول گرا

تحقیق در مورد رهبری تحول گرا

ارائه به صورت فایل WORD

مقدمه

رهبران برای موفقیت، نیاز به توانایی رفتاری برای انتخاب نقش درست و مناسب برای موقعیت دارند. برای انجام این مورد، رهبران نیاز به انعطاف پذیری شناختی و رفتاری دارند. یک رهبر، نیازمند توانایی شناخت نیازها و اهداف افراد و توانایی تطبیق دیدگاه فردی خود مطابق با فعالیتهای گروه است.

اهمیت رهبری برای حفظ و توسعه فرهنگ سازمانی توسط نویسندگانی موفق مورد تاکید قرار گرفته است. رهبری تاثیر ضمنی و آشکاری بر فرهنگ از راه زبان، ساختار، ارزشها و رفتار دارد و در سطح گروهی و فردی عمل می کند. آیزن باچتال پیشنهاد می کند که روابط رهبری برای تغییر ارزشها، باورها و نگرشهای پیروان، مهم و حیاتی است. به ویژه اینکه تحقیق آنها بر اهمیت رهبری تحول گرا در محیط های تغییر شدید به دلیل تاثیرات روان‌شناختی بلند مدت، بر رفتار و نگرشهای پیروان که موجب ایجاد فرهنگی می شود که تغییر را می پذیرد، تاکید دارد. (Duckett & Macfarlane,2003)

در طول بیست سال گذشته، توجه و علاقه زیادی به بررسی پارادایمهای جدید رهبری نشان داده شده است. بسیاری از تعریفهای اولیه رهبری به نظر می رسد که روی فرایندهای عقلایی و شناختی تأکید می کنند. به علاوه الگوهای پیشین رهبری به دلیل اینکه از تشریح دامنه کامل سبکها و رفتارهای رهبری موجود ناتوان بوده‌اند، مورد انتقاد قرار گرفته اند. در پاسخ به چنین انتقادهایی، مفاهیم رهبری تحول‌گرا و تبادل‌گرا (Transactional) پدیدار شد. همان گونه که سازمانها با تحول و توسعه اقدامات سنتی مدیریت روبه‌رو می شوند، تعیین عملکرد بالا و ویژگیهای تحول‌گرایانه رهبران مهم و حیاتی خواهد شد. (Leban,2004)

دانلود کامل رهبری تحول گرا

بررسی تاثیر بومی سازی در توانمند سازی افراد

بررسی تاثیر بومی سازی در توانمند سازی افراد

مقاله بررسی تاثیر  بومی سازی در توانمند سازی افراد .

ارائه به صورت فایل WORD

در دنیای امروزی بومی سازی و بومی کردن از اهمیت ویژه ای در تیوری سیاسی بر خوردار است . برای پیوند دادن صلح آمیز کثرت گرای تنوع ملی، قومی، فرهنگی، زبانی، مذهبی و در جهان با داشتن دولتی کارا و در عین حال یک پارچه و نه متمرکز لازم است . یک حکومت متمرکز ممکن است از اشکال متفاوتی از عدم تمرکز را در داخل کشور نظیر عدم تمرکز اداری و یا واگذاری اختیارات محلی و یا مناطق فرهنکی به خود افراد آن منطقه استفاده نمایند .لیکن همه آنها در نهایت بازوهای اداری و فرهنگی و اقتصادی و سیاسی و مذهبی حکومت مرکزی هستند. این نوع از عدم تمرکز عملا در بسیاری از امپراتوری ها در تاریخ نیز وجود داشته است. و این نوع از عدم تمرکز را با سیستم فدرال را نباید اشتباه گرفت چرا که موجودییت این نوع از نهاد های غیر متمرکز، تابعی است از اراده حکومت مرکزی که در هر لحظه ای میتواند از طرف حکومت مرکزی منحل گردیده ویا تماما به شکل دیکری درآورده شود که در نهایت موجب توانمند شدن افراد و گروهها میشود. بلانچارد می نویسد: توانمند سازی به افراد قدرت تصمیم گیری میدهد و بسیاری از کارکنان نیز منظور از توانمند سازی را کسب آزادی بی قید و شرط برای اجرای هر کاری میدانند[2]. بومی کردن مساوی با توانمند کردن افراد و واگذار کردن اختیارات و حق تصمیم گیری به افراد در مناطق مختلف است . در این مقاله به ارتباط مستقیم بین بومی سازی و توانمند شدن افراد پرداخته میشود و نتیجه آن ارایه یک مدل بومی توانمند سازی با شرایط سازمانهای ایرانی می باشد و در نهایت موجب گسترش عدالت و افزایش میزان رضایت افراد می گردد.

دانلود کامل بررسی تاثیر بومی سازی در توانمند سازی افراد

پروژه کارآموزی طراحی و ساخت تونل

پروژه کارآموزی- طراحی و ساخت تونل-pdf در45 صفحه

احتمالا اولین تونل‌ها در عصر حجر برای توسعه خانه‌ها با انجام حفریات توسط ساکنان شروع شد . این امرنشانگر این است که آنها در تلاشهایشان جهت ایجاد حفریات به دنبال راهی برای بهبود شرایط زندگی خود بوده اند. پیش ازتمدن روم باستان ، در مصر ، یونان ، هند و خاور دور و ایتالیای شمالی ، تماما تکنیکهای تونلسازی دستی مورد استفاده قرار می‌گرفت که در اغلب آنها نیز از فرایندهای مرتبط با آتش برای حفر تونل های نظامی ، انتقال آب و مقبره‌ها کمک گرفته شده است. در ایران نیز از چند هزار سال پیش، به منظور استفاده از آبهای زیر زمینی تونل هایی موسوم به قنات حفر شده است که طول بعضی از آنها به 70 کیلومتر و یا بیشتر نیز می‌رسد. تعداد قنات های ایران بالغ بر50000 رشته برآورده شده است. جالب توجه است که این قنات های متعدد، طویل و عمیق با وسایل بسیار ابتدایی حفر شده اند.

احتمالا اولین تونل‌ها در عصر حجر برای توسعه خانه‌ها با انجام حفریات توسط ساکنان شروع شد . این امرنشانگر این است که آنها در تلاشهایشان جهت ایجاد حفریات به دنبال راهی برای بهبود شرایط زندگی خود بوده اند. پیش ازتمدن روم باستان ، در مصر ، یونان ، هند و خاور دور و ایتالیای شمالی ، تماما تکنیکهای تونلسازی دستی مورد استفاده قرار می‌گرفت که در اغلب آنها نیز از فرایندهای مرتبط با آتش برای حفر تونل های نظامی ، انتقال آب و مقبره‌ها کمک گرفته شده است. در ایران نیز از چند هزار سال پیش، به منظور استفاده از آبهای زیر زمینی تونل هایی موسوم به قنات حفر شده است که طول بعضی از آنها به 70 کیلومتر و یا بیشتر نیز می‌رسد. تعداد قنات های ایران بالغ بر50000 رشته برآورده شده است. جالب توجه است که این قنات های متعدد، طویل و عمیق با وسایل بسیار ابتدایی حفر شده اند.

دانلود کامل پروژه کارآموزی طراحی و ساخت تونل

پروژه کارآموزی خطوط فشار قوی برق

پروژه کارآموزی خطوط فشار قوی برق

پروژه کارآموزی- خطوط فشار قوی برق-word-docx در75 صفحه

نیاز روز افزون به برق ومزایای انرژی الکتریکی باعث بوجود آمدن نیروگاههای بزرگ شده است. معمولأ به دلایل متعدد نیروگاهها درمناطق دور از مرکز مصرف ایجاد می شوند. درمورد نیروگاههای آبی شرایط خاص جغرافیایی ودرمورد سایر نیروگاهه نیاز به آب زیاد ومنابع سوخت ،ایجاد آلودگی محیط ،محدودیت هایی رادر انتخاب محل نیروگاه بوجود می آورد.

ازطرفی چون نصب نیروگاههای کوچک متفاوت برای جوابگویی مصرف درنقاط مختلف یک کشور مستلزم وجود واحدهای رزرو  وخرج زیادبرای تعمیرات ونگهداری وسوخت رسانی می شود. لذا ترجیحأ یک یا چند نیروگاه بزرگ درنقاطی که شرایط مساعد دارندایجاد شده و سپس انرژی رابه نقاط مصرف انتقال می دهند. همچنین برای ارتباط بین نیروگاهها به منظور افزایش قابلیت اطمینان و نیزبرای بالا بردن پایداری سیستم و وجود اختلاف زمان پیک بار درنقاط مختلف یک کشور و سعی دربدست آوردن انرژی الکتریکی ارزانتر ، سراسری کردن شبکه انتقال نیرو را اجتناب ناپذیر می نماید .

در سیستم برق متناوب  ( A.C )تبدیل ولتاژ توسط ترانسفورماتور انجام میشود.

درنیروگاه ولتاژخروجی ژنراتور توسط ترانسفورماتور افزاینده تا حدمورد نیاز بالا برده می شود و درمراکز مصرف ترانسفورماتورهای کاهنده با نسبت تبدیل مناسب بکار می روند تا ولتاژ را به میزان مورد نیاز کاهش دهند.

فهرست مطالب

چکیده    1

مقدمه     2

بحث علمی در زمینه ایجاد پستهای فشار قوی    3

مبانی نظری استانداردهای مرتبط    3

ولتاژانتقالی      5

انواع پستهای از نظر عایق بندی    7

 اجزاء تشکیل دهنده پستها    9

 پستهای فشار قوی.    9

مراحل طراحی پستهای فشار قوی    10

تشریح انواع پستهای فشار قوی.    11

تاسیسات جانبی    13

اجزاء تشکیل دهنده پستها    16

باسبارها و انواع آن    17

هادیهای پستهای فشار قوی    20

ترانسفورماتورهای حفاظتی    21

انواع ترانس ولتاژ    22

انواع تپ چنجر    24

انواع کلیدهای قدرت.    25

انواع بریکر ها    26

آرایش پست Lay Out    29

سیستم زمین در پستهای فشار قوی    29

بررسی ولتاژهای مؤثر در ایمنی و شبکه زمین    30

شین بندی    36

حفاظت باسبارها و خطوط    39

ترانسهای قدرت    40

تغذیه داخلی پست و باطریخانه    43

وسایل موجود بر روی میز کار عبارت است از    50

اصول بهره برداری از پستهای فشار قوی    52

شرح وظایف اپراتورها در پستهای فشار قوی    54 

دانلود کامل پروژه کارآموزی خطوط فشار قوی برق

ساختارهای دور آلاییده

ساختارهای دور آلاییده

عنوان

ساختارهای دور آلاییده

چکیده 

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می¬یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می¬گیرد اگر لایه¬های مجاور با ناخالصی¬های نوع p آلاییده شده باشند حفره¬های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می¬روند و تشکیل گاز حفره¬ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می¬دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی¬های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی¬های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک¬پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می¬یابد .چگالی سطحی گاز حفره¬ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره¬ای قابل کنترل می¬باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می¬گیرند . 

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی¬پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره¬ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم  .  در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه¬دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می¬کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره¬ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته¬ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

عنوان

ساختارهای دور آلاییده

این فایل با فرمت ورد و آماده پرینت می باشد.

فهرست مطالب 

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده 1 

مقدمه  2

1-1 نیمه رسانا 3 

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم 4 

1-3 جرم موثر 4 

1-4 نیمه رسانای ذاتی 6 

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش 7 

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge  10

1-7 رشد بلور  13

1-7-1 رشد حجمی بلور 15 

1-7-2 رشد رونشستی مواد 15 

1-7-3 رونشستی فاز مایع  16

1-7-4 رونشستی فاز بخار 18 

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی  19

1-8 ساختارهای ناهمگون 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی 21

1-10 انواع آلایش 23 

1-10-1 آلایش کپه¬ای 24 

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی) 24 

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی  25 

1-10-4 گاز حفره¬ای دوبعدی 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده  27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به¬¬لحاظ ترتیب رشد لایه¬ها  27 

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ) 28 

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه¬دار 29 

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده 33

1-12-1 JFET 33  

1-12-2 MESFET  34 

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون  35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی) 38

مقدمه  39  

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی  41

2-2 لایه تهی  44 

2-3 اثر شاتکی  47 

2-4 مشخصه ارتفاع سد 51 

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد 57 

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ 57 

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی 60  

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت 60 

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد  62 

2-4-7 کاهش سد  62 

2-4-8 افزایش سد 63

2-5 اتصالات یکسوساز .  64

2-6 سدهای شاتکی نمونه   64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده 66

مقدمه 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si . 68

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si 69 

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده. 71  

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده¬آل 71 

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها  74 

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره¬ای  74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها  76 

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها  77 

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها 78 

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده  79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا  79 

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ¬حفره¬ها  83 

3-8 ملاحظات تابع موج. 86 

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه 87 

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه¬دار 87 

فصل چهارم : نتایج محاسبات   89

مقدمه 90 

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si  91 

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls  91 

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA   96 

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc  99 

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls  100

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار Si/SiGe/Si  100 

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg  100 

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت  107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی 114

فصل پنجم : نتایج  124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si  125

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه  125 

پیوست  129 

چکیده انگلیسی (Abstract)  139

منابع 141

فصل اول

ساختارهای دورآلاییده

مقدمه: 

امروزه قطعات جدیدی در دست تهیه¬اند که از لایه¬های نازک متوالی نیمه¬رساناهای مختلف تشکیل می شوند . هر لایه دارای ضخامت مشخصی است که به دقت مورد کنترل قرار می گیرد و از مرتبه 10 نانومتر است . اینها ساختارهای ناهمگون نامیده می شوند . خواص الکترونی لایه-های بسیار نازک را می توان با بررسی ساده¬ای که برخی از اصول اساسی فیزیک کوانتومی را نشان می دهد به دست آورد [31] . 

در این فصل ابتدا به بررسی خواص نیمه¬رسانا می پردازیم سپس با نیمه¬رساناهای سیلیکان و ژرمانیوم آشنا می شویم و بعد از آن انواع روشهای رشد رونشستی و ساختارهای ناهمگون را مورد بررسی قرار  می دهیم و همچنین ساختارهای دورآلاییده را بررسی می کنیم و در آخر نیز به بررسی کاربرد ساختارهای دورآلاییده و ترانزیستورهای اثر میدانی می پردازیم.    

1-1 نیمه¬رسانا:

در مدل الکترون مستقل الکترون¬های نوار کاملاً پر هیچ جریانی را حمل نمی¬کنند این یک روش اساسی برای تشخیص عایق¬ها و فلزات از هم است . در حالت زمینه یک عایق تمام نوارها یا کاملاً پر یا کاملاً خالی هستند اما در حالت زمینه یک فلز حداقل یک نوار به طور جزئی پر است . روش دیگر تشخیص عایق¬ها و فلزات بحث گاف انرژی است گاف انرژی یعنی فاصله بین بالاترین نوار پر و پایین¬ترین نوار خالی .

یک جامد با یک گاف انرژی در    عایق خواهد بود. در نتیجه با گرم کردن عایق همچنانکه دمای آن افزایش می¬یابد بعضی از الکترون¬ها به طور گرمایی تحریک شده و از گاف انرژی به سمت پایین¬ترین نوار غیر اشغال گذار می¬کنند . جای خالی الکترون¬ها در نوار ظرفیت را حفره می¬نامند این حفره¬ها ماهیتی مانند بار مثبت دارند در نتیجه در روند رسانش هم الکترون¬ها و هم حفره¬ها شرکت می¬کنند . الکترون¬های برانگیخته شده در پایین¬ترین قسمت نوار رسانش قرار می¬گیرند در صورتیکه حفره¬ها در بالاترین قسمت نوار ظرفیت واقع می¬شوند .

جامداتی که در   عایق بوده اما دارای گاف انرژی به اندازه¬ای هستند که برانگیزش گرمایی منجر به مشاهده رسانشی در   شود به عنوان نیمه¬رسانا شناخته می¬شود .

ساده¬ترین عناصر نیمه رسانا از گروه چهارم جدول تناوبی هستند که به آنها نیمه¬رساناهای تک عنصری می¬گویند سیلیکون و ژرمانیوم دو عنصر مهم نیمه¬رساناها هستند . علاوه بر عناصر نیمه-رسانا ترکیبات گوناگون نیمه¬رسانا هم وجود دارد . GaAsیک نمونه نیمه¬رساناهای   است که از ترکیب عناصر گروه   (Ga) و گروه (As) بدست آمده¬اند و در ساختار زینک بلند متبلور می¬شوند . همچنین بلور نیمه¬رسانا از عناصر گروه    و   هم بوجود می¬آید که می¬تواند ساختار زینک¬بلند داشته باشد و به عنوان نیمه¬رساناهای قطبی شناخته شده¬اند [1].

1-2  نیمه¬رسانای با گذار مستقیم و غیر مستقیم:             

 هرگاه کمینه نوار رسانش و بیشینه نوار ظرفیت یک نیمه¬رسانا در یک نقطه فضایk  قرار بگیرند به چنین نیمه¬رسانایی نیمه رسانای با گذار مستقیم می¬گویند. 

اما اگر کمینه نوار رسانش و بیشینه نوار ظرفیت یک نیمه¬رسانا در یک نقطه فضای k  قرار نگیرند به چنین نیمه¬رسانایی نیمه¬رسانای با گذار غیر مستقیم می¬گوییم.

الکترون¬ها کمینه نوار رسانش و حفره¬ها بیشینه نوار ظرفیت را اشغال می¬کنند [1] .

                                  (b)                                                            (a)

شکل(1-1) : نمودار نیمه-رسانای با گذارهای مستقیم و غیر مستقیم . (a) نیمه¬رسانای با گذار مستقیم .(b) نیمه¬رسانای با گذار غیر مستقیم [1] .

1-3 جرم موثر : 

الکترون¬ها در بلور بطور کامل آزاد نیستند بلکه با پتانسیل متناوب شبکه برهمکنش دارند . در نتیجه حرکت موج ذره¬ای آنها را نمی توان مشابه الکترون¬ها در فضای آزاد دانست . برای اعمال معادلات معمولی الکترودینامیک به حامل¬های بار در یک جامد باید از مقادیر تغییر یافته جرم ذره استفاده کنیم در این صورت اثر شبکه منظور شده و می¬توان الکترون¬ها و حفره¬ها را به صورت حامل¬های تقریباً آزاد در بیشتر محاسبات در نظر گرفت . 

جرم موثر یک الکترون در ترازی با رابطه معین (E,K) به صورت زیر است :   

(1-1)                                                                                    

پس انحنای نوار تعیین کننده جرم موثر الکترون است . برای نوار متمرکز حول K=0 رابطه (E;K) در نزدیکی حداقل معمولاً سهموی است : 

(1-2)                                                                       

این رابطه نشان می¬دهد که جرم موثر در نوار سهموی ثابت است . 

   انحنای         در محل حداقل¬های نوار رسانش مثبت ولی در محل حداکثرهای نوار ظرفیت منفی است . بنابراین الکترون¬ها در نزدیکی بالای نوار ظرفیت دارای جرم موثر منفی هستند . الکترون-های نوار ظرفیت با بار منفی و جرم منفی در یک میدان الکتریکی در همان جهت حفره¬های با بار و جرم مثبت حرکت می¬کنند . در جدول زیر جرم¬های موثر بعضی از مواد آورده شده است . جرم موثر الکترون با   و جرم موثر حفره با   نشان داده می شود [28] .

GaAs Si Ge

0.067m0 1.1m0 0.55m0

0.48m0 0.56m0 0.37m0

جدول(1-1) : مقادیر جرم موثر الکترون و حفره در سه نیمه¬رسانای Si ، Ge ، GaAs . m0 جرم حالت سکون الکترون است .  

1-4 نیمه¬رسانای ذاتی :

یک بلور نیمه¬رسانای کامل فاقد هرگونه ناخالصی یا نقائص بلوری به نام نیمه¬رسانای ذاتی شناخته می¬شود . در چنین ماده¬ای هیچگونه حامل آزادی در صفر کلوین وجود ندارد زیرا نوار ظرفیت از الکترون¬ها پر شده و نوار رسانش خالی است . در دماهای بالاتر با برانگیزش گرمایی الکترون-های نوار ظرفیت به نوار رسانش از طریق گاف نواری زوج-های الکترون حفره تولید می-شود . این زوج¬ها تنها حامل¬های موجود در ماده ذاتی هستند .

بدلیل تولید زوج الکترون¬ها و حفره¬ها تراکم   از الکترون¬های نوار رسانش (تعداد الکترون¬ها در هر سانتی متر مکعب ) برابر با تراکم   از حفره-ها در نوار ظرفیت (تعداد حفره¬ها در هر سانتی متر مکعب ) است . هر یک از این تراکم حامل¬های ذاتی را معمولاً با   نمایش  می¬دهند . پس برای ماده ذاتی داریم :

(1-3)   

برانگیختی حامل¬های ذاتی به طور نمایی به        بستگی دارد که در آن Eg گاف انرژی                   است و این بستگی به صورت رابطه زیر است [38]:

(1-4)  

 مقدار ni در دمای اتاق برای  Si، Ge و GaAs به ترتیب برابر با (cm-3 )1010 × 45/1،          (cm-3 )1012 × 5/2 و (cm-3 )106 × 79/1 است .                                         

 شکل (1-2) : زوج¬های الکترون حفره در مدل پیوند کووالانسی از بلور Si

 1-5 نیمه¬رسانای غیر ذاتی و آلایش  :

علاوه بر حامل¬های ذاتی تولید شده با گرما می¬توان با وارد کردن تعمدی ناخالصی به بلور حامل¬های اضافی در نیمه¬رساناها بوجود آورد . این فرایند مرسوم به آلایش متداولترین روش برای تغییر رسانایی در نیمه¬رساناهاست .

با عمل آلایش می¬توان بلور را طوری تغییر داد که دارای اکثریتی از الکترون¬ها یا حفره¬ها بشود . پس توسط آلایش دو نوع نیمه¬رسانا بوجود می¬آید : نوع   (اکثریت الکترونی) و نوع  (اکثریت حفره¬ای ). هنگامیکه بر اثر آلایش در یک بلور تراکم حالت تعادل حامل-های آن  و   با تراکم ذاتی حامل¬ها   تفاوت داشته باشد گوییم ماده غیر ذاتی است .

هنگامیکه ناخالصی¬ها یا نقص¬های شبکه در یک بلور تقریباً کامل وارد می¬شوند ترازهای اضافی در ساختمان نوار انرژی و معمولاً درون گاف نوار ایجاد می¬شود.مثلاً یک ناخالصی از ستون پنجم جدول تناوبی (p  و As و Sb ) تولید یک تراز انرژی در نزدیکی نوار رسانش از Si یا Ge  می¬کند. این تراز در صفر کلوین توسط الکترون¬ها پر شده و انرژی گرمایی خیلی کمی برای برانگیختن این الکترون¬ها به نوار رسانش لازم است . بنابراین در دماهای بیش از چند صدکلوین تمام الکترون-ها در تراز ناخالصی در واقع به نوار رسانش " بخشیده " می¬شوند. یک چنین تراز ناخالصی را تراز دهنده و ناخالصی-های ستون پنجم در Ge  یا Si  را ناخالصی-های دهنده می-نامند. از شکل (1-3) پیداست که ماده دارای ناخالصی-های دهنده می¬تواند حتئ در دماهای پایین که تراکم حامل¬های ذاتی زوج الکترون حفره قابل توجه نیست تراکم قابل ملاحظه¬ای از الکترون¬ها در نوار رسانش داشته باشد . بنابراین نیمه رساناهای ناخالص شده با تعداد قابل توجهی اتم دهنده دارای     در دمای معمولی بوده و یک نیمه¬رسانای نوع   محسوب می¬شوند.  

دانلود کامل ساختارهای دور آلاییده